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固态氢靶系统和使用它的激光离子源

文献类型:专利

作者孙良亭; 赵环昱; 沈叮叮; 张俊杰
发表日期2018-09-07
专利号CN108511314A
著作权人中国科学院近代物理研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要本发明提供了固态氢靶系统及使用它的激光离子源,该固态氢靶系统包括:气体固化基座;气体固化坑,其作为冷冻靶位于气体固化基座的中央部;吸附罩,其围绕着气体固化基座,且该吸附罩的内表面粘贴有活性炭;其中,在固态氢靶系统所在的真空腔室为基础真空度的状态下,当从正对着气体固化坑的喷嘴即氢气出气口喷出预冷的氢气,该氢气立刻在冷冻靶凝结沉积而形成固体氢靶,对固态氢靶的靶面进行激光打靶,所气化的氢气由活性炭快速吸收,由此,有效维持了真空腔室的基础真空度,保证了激光打靶重复率,而使质子产生稳定性提高。
公开日期2018-09-07
申请日期2018-03-23
状态实质审查
源URL[http://119.78.100.186/handle/113462/60693]  
专题中国科学院近代物理研究所
作者单位中国科学院近代物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
孙良亭,赵环昱,沈叮叮,等. 固态氢靶系统和使用它的激光离子源. CN108511314A. 2018-09-07.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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