痕量气体同位素富集系统和方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙良亭 ; 卢征天; 武启; 杨伟顺; 刘建立; 陈沁闻; 胡强; 姚庆高; 张金泉; 贾泽华
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| 发表日期 | 2018-09-04 |
| 专利号 | CN108479394A |
| 著作权人 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明采用强流ECR(Electron Cyclotron Resonance)离子源技术，通过高效离化产生约10mA的Ar+离子束流，结合有效的离子分离系统来实现氩同位素的分离，富集速度较使用传统离子源技术的方案提高3个量级。使用了烘烤、气体循环及提纯设计，提高了实验结果的精度及最终的富集率。本发明最终能够将39Ar同位素丰度从原始的10‑16量级提高两个量级，结合同位素定年的技术，有望填补50～1500年区间精确定年的国际空白。本发明也能用于其它类似的同位素富集，只需根据待富集同位素的不同，对离子分离系统的运行参数进行调节即可。 |
| 公开日期 | 2018-09-04 |
| 申请日期 | 2018-03-14 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://119.78.100.186/handle/113462/60703]  |
| 专题 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙良亭,卢征天,武启,等. 痕量气体同位素富集系统和方法. CN108479394A. 2018-09-04. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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