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同位素富集靶装置和同位素富集方法

文献类型:专利

作者孙良亭; 刘建立; 贾泽华; 杨伟顺; 方兴; 张金泉; 卢征天
发表日期2018-04-13
专利号CN107899423A
著作权人中国科学院近代物理研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要本发明的实施例公开了一种同位素富集靶装置和一种同位素富集方法。同位素富集靶装置包括:支架;可转动地安装于支架的主动靶轴;用于驱动主动靶轴旋转的驱动装置;以及收集靶薄膜,所述收集靶薄膜连接于主动靶轴,以在同位素富集时进行了同位素富集的部分卷绕在主动靶轴上。同位素富集方法包括:将收集靶薄膜设置在靶室中;使同位素入射到收集靶薄膜的在同位素富集位置的部分上;以及在同位素入射到收集靶薄膜的在同位素富集位置的部分上持续预定的时间后,移动收集靶薄膜,使未进行同位素富集的收集靶薄膜的部分进入同位素富集位置,以进行同位素富集。根据本发明的实施例,避免同位素在收集靶薄膜内饱和而收集效率下降,保证了收集效率的稳定。
公开日期2018-04-13
申请日期2017-11-16
状态实质审查
源URL[http://119.78.100.186/handle/113462/60706]  
专题中国科学院近代物理研究所
作者单位中国科学院近代物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
孙良亭,刘建立,贾泽华,等. 同位素富集靶装置和同位素富集方法. CN107899423A. 2018-04-13.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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