真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙国平 ; 李学敏; 张小奇; 王文进; 徐大宇; 王丰; 雷海亮; 李寿陆; 谢春安
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| 发表日期 | 2016-05-04 |
| 专利号 | CN104200983B |
| 著作权人 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及离子束偏转电磁铁——四通道异形偏转磁铁的制造工艺技术领域，尤其是涉及一种真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法。其通过：分别加工左、右磁体和中间磁体的四周和上下面，然后在大型数控加工中心上完成三块磁铁的斜面；以磁体底面做基准，在大型数控加工中心上分别加工三块磁铁上的线圈槽；将加工好的磁体进行预装配；在加工好的线圈绕线模具上绕制线圈；采用环氧真空浇注线圈；完成环氧真空浇注后将线圈封装在真空盒中；对装有线圈的真空盒进行氦质谱真空检漏，真空度达到1x10-8Pa，真空漏率不大于1x10-9Pa.L/S；将检漏合格的装有线圈的真空盒和铁芯进行装配，并做磁场测试。磁铁结构稳定性佳、装配简单、便捷、调节方便、加工精度高、外形尺寸及形状误差小。 |
| 公开日期 | 2016-05-04 |
| 申请日期 | 2014-07-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://119.78.100.186/handle/113462/60743]  |
| 专题 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院近代物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙国平,李学敏,张小奇,等. 真空内四通道异形偏转磁铁的制造方法. CN104200983B. 2016-05-04. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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