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一种提高离子源束流强度的方法

文献类型:专利

作者刘占稳、张汶、张雪珍、郭晓虹、周嗣信、魏宝文、赵红卫、袁平、吴德忠、王书昌、王云海、王义芳、叶峰
发表日期2003-01-15
专利号96111562.9
国家中国
文献子类发明专利
产权排序1
公开日期2003-01-15 ; 2010-06-24
申请日期1996-09-16
语种中文
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/813]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘占稳、张汶、张雪珍、郭晓虹、周嗣信、魏宝文、赵红卫、袁平、吴德忠、王书昌、王云海、王义芳、叶峰. 一种提高离子源束流强度的方法. 96111562.9. 2003-01-15.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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