电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 薛智浩 ; 孙友梅 ; 常海龙 ; 刘杰 ; 侯明东 ; 姚会军 ; 莫丹 ; 陈艳峰 |
| 刊名 | 原子核物理评论
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| 出版日期 | 2008-09-20 |
| 卷号 | 2008期号:03页码:277-281 |
| 关键词 | 各向异性蚀刻 微孔阵列 电化学蚀刻 |
| 通讯作者 | 薛智浩 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-10-29 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/2331]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛智浩,孙友梅,常海龙,等. 电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究[J]. 原子核物理评论,2008,2008(03):277-281. |
| APA | 薛智浩.,孙友梅.,常海龙.,刘杰.,侯明东.,...&陈艳峰.(2008).电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究.原子核物理评论,2008(03),277-281. |
| MLA | 薛智浩,et al."电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究".原子核物理评论 2008.03(2008):277-281. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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