高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭海波 ; 王铁山 ; 韩运成 ; 丁大杰 ; 徐鹤 ; 程锐 ; 赵永涛 ; 王瑜玉 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008-04-15 |
| 卷号 | 2008期号:04页码:2161-2164 |
| 关键词 | 高电荷态离子 溅射 沟道效应 |
| 通讯作者 | 彭海波 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-10-29 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/2487]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭海波,王铁山,韩运成,等. 高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究[J]. 物理学报,2008,2008(04):2161-2164. |
| APA | 彭海波.,王铁山.,韩运成.,丁大杰.,徐鹤.,...&王瑜玉.(2008).高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究.物理学报,2008(04),2161-2164. |
| MLA | 彭海波,et al."高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究".物理学报 2008.04(2008):2161-2164. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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