高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Si表面作用中的电子发射产额
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵永涛 ; 肖国青 ; 徐忠锋 ; Abdul Qayyum ; 王瑜玉 ; 张小安 ; 李福利 ; 詹文龙 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2007-10-15 |
| 卷号 | 2007期号:10页码:5734-5738 |
| 关键词 | 高电荷态离子 势能沉积 电子能损 单离子产额 |
| 通讯作者 | 赵永涛 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-10-29 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/2631]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵永涛,肖国青,徐忠锋,等. 高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Si表面作用中的电子发射产额[J]. 物理学报,2007,2007(10):5734-5738. |
| APA | 赵永涛.,肖国青.,徐忠锋.,Abdul Qayyum.,王瑜玉.,...&詹文龙.(2007).高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Si表面作用中的电子发射产额.物理学报,2007(10),5734-5738. |
| MLA | 赵永涛,et al."高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Si表面作用中的电子发射产额".物理学报 2007.10(2007):5734-5738. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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