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120keV的N~+注入SiC薄膜的光谱特性研究

文献类型:期刊论文

作者宋银,金运范,王志光,张崇宏,赵志明,段敬来
刊名高能物理与核物理
出版日期2004-06-21
卷号2004期号:06页码:626-628
关键词Sic n+注入 光致发光谱 傅立叶红外光谱
通讯作者宋银
语种中文
公开日期2010-10-29
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/3853]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
宋银,金运范,王志光,张崇宏,赵志明,段敬来. 120keV的N~+注入SiC薄膜的光谱特性研究[J]. 高能物理与核物理,2004,2004(06):626-628.
APA 宋银,金运范,王志光,张崇宏,赵志明,段敬来.(2004).120keV的N~+注入SiC薄膜的光谱特性研究.高能物理与核物理,2004(06),626-628.
MLA 宋银,金运范,王志光,张崇宏,赵志明,段敬来."120keV的N~+注入SiC薄膜的光谱特性研究".高能物理与核物理 2004.06(2004):626-628.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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