离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘昌龙,B.J.Sealy,A.Nejim,R.M.Gwilliam |
| 刊名 | 高能物理与核物理
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| 出版日期 | 2001-12-15 |
| 卷号 | 2001期号:12页码:1238-1244 |
| 关键词 | 注入 瞬间增强扩散 二次离子质谱仪 单晶si |
| 通讯作者 | 刘昌龙 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-10-29 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4601]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘昌龙,B.J.Sealy,A.Nejim,R.M.Gwilliam. 离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响[J]. 高能物理与核物理,2001,2001(12):1238-1244. |
| APA | 刘昌龙,B.J.Sealy,A.Nejim,R.M.Gwilliam.(2001).离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响.高能物理与核物理,2001(12),1238-1244. |
| MLA | 刘昌龙,B.J.Sealy,A.Nejim,R.M.Gwilliam."离子辐照对单晶Si中预注入B原子扩散的影响".高能物理与核物理 2001.12(2001):1238-1244. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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