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低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正

文献类型:期刊论文

作者卢朝晖,吴和宇,诸永泰,张保国,李祖玉,魏志勇,段利敏,王宏伟,肖志刚,胡荣江,靳根明,王素芳,陈陶,李湘庆,李智焕,柳永英,朱海东,陈克良
刊名核电子学与探测技术
出版日期2001-11-20
卷号2001期号:06页码:420-422+446
关键词位置灵敏硅探测器 低能量沉积 位置畸变 修正因子
通讯作者卢朝晖
语种中文
公开日期2010-10-29
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4617]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
卢朝晖,吴和宇,诸永泰,张保国,李祖玉,魏志勇,段利敏,王宏伟,肖志刚,胡荣江,靳根明,王素芳,陈陶,李湘庆,李智焕,柳永英,朱海东,陈克良. 低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正[J]. 核电子学与探测技术,2001,2001(06):420-422+446.
APA 卢朝晖,吴和宇,诸永泰,张保国,李祖玉,魏志勇,段利敏,王宏伟,肖志刚,胡荣江,靳根明,王素芳,陈陶,李湘庆,李智焕,柳永英,朱海东,陈克良.(2001).低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正.核电子学与探测技术,2001(06),420-422+446.
MLA 卢朝晖,吴和宇,诸永泰,张保国,李祖玉,魏志勇,段利敏,王宏伟,肖志刚,胡荣江,靳根明,王素芳,陈陶,李湘庆,李智焕,柳永英,朱海东,陈克良."低能量沉积下位置灵敏硅探测器位置畸变的修正".核电子学与探测技术 2001.06(2001):420-422+446.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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