中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

文献类型:期刊论文

作者裴慧元,李向阳,方家熊,侯明东
刊名半导体学报
出版日期2001-11-08
卷号2001期号:11页码:1392-1396
关键词Cdznte 电学特性 光致发光
通讯作者裴慧元
语种中文
公开日期2010-10-29
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4645]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
裴慧元,李向阳,方家熊,侯明东. 高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光[J]. 半导体学报,2001,2001(11):1392-1396.
APA 裴慧元,李向阳,方家熊,侯明东.(2001).高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光.半导体学报,2001(11),1392-1396.
MLA 裴慧元,李向阳,方家熊,侯明东."高能Ar~+辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光".半导体学报 2001.11(2001):1392-1396.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。