C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王引书,李晋闽,王玉田,王衍斌,林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001-08-08 |
| 卷号 | 2001期号:08页码:979-984 |
| 关键词 | Si1-xcx合金 离子注入 损伤缺陷 应变分布 |
| 通讯作者 | 王引书 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-10-29 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4743]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王引书,李晋闽,王玉田,王衍斌,林兰英. C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征[J]. 半导体学报,2001,2001(08):979-984. |
| APA | 王引书,李晋闽,王玉田,王衍斌,林兰英.(2001).C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征.半导体学报,2001(08),979-984. |
| MLA | 王引书,李晋闽,王玉田,王衍斌,林兰英."C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征".半导体学报 2001.08(2001):979-984. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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