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半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度

文献类型:期刊论文

作者魏志勇,段利敏,吴和宇,靳根明,李祖玉,张保国,王宏伟,肖志刚,柳永英,王素芳,诸永泰,胡荣江
刊名核技术
出版日期2001-06-10
卷号2001期号:06页码:468-472
关键词能量刻度 Csi(Tl) 半导体探测器
通讯作者魏志勇
语种中文
公开日期2010-10-29
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4805]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
魏志勇,段利敏,吴和宇,靳根明,李祖玉,张保国,王宏伟,肖志刚,柳永英,王素芳,诸永泰,胡荣江. 半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度[J]. 核技术,2001,2001(06):468-472.
APA 魏志勇,段利敏,吴和宇,靳根明,李祖玉,张保国,王宏伟,肖志刚,柳永英,王素芳,诸永泰,胡荣江.(2001).半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度.核技术,2001(06),468-472.
MLA 魏志勇,段利敏,吴和宇,靳根明,李祖玉,张保国,王宏伟,肖志刚,柳永英,王素芳,诸永泰,胡荣江."半导体探测器的厚度确定及CsI(Tl)的刻度".核技术 2001.06(2001):468-472.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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