不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王引书,李晋闽,金运范,王玉田,林兰英 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2000-11-12 |
| 卷号 | 2000期号:11页码:2210-2213 |
| 关键词 | Si_(1-x)C_x合金 离子注入 固相外延 |
| 通讯作者 | 王引书 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-10-29 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/4993]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王引书,李晋闽,金运范,王玉田,林兰英. 不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征[J]. 物理学报,2000,2000(11):2210-2213. |
| APA | 王引书,李晋闽,金运范,王玉田,林兰英.(2000).不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征.物理学报,2000(11),2210-2213. |
| MLA | 王引书,李晋闽,金运范,王玉田,林兰英."不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征".物理学报 2000.11(2000):2210-2213. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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