离子辐照单晶Si损伤效应的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘昌龙,朱智勇,侯明东,金运范,王志光 |
| 刊名 | 原子核物理评论
 |
| 出版日期 | 2000-09-30 |
| 卷号 | 2000期号:03页码:140-145 |
| 关键词 | 离子辐照 单晶si 损伤效应 电子能损 |
| 通讯作者 | 刘昌龙 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-10-29 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/5019]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘昌龙,朱智勇,侯明东,金运范,王志光. 离子辐照单晶Si损伤效应的研究[J]. 原子核物理评论,2000,2000(03):140-145. |
| APA | 刘昌龙,朱智勇,侯明东,金运范,王志光.(2000).离子辐照单晶Si损伤效应的研究.原子核物理评论,2000(03),140-145. |
| MLA | 刘昌龙,朱智勇,侯明东,金运范,王志光."离子辐照单晶Si损伤效应的研究".原子核物理评论 2000.03(2000):140-145. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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