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重离子在半导体器件中引起的单粒子效应

文献类型:期刊论文

作者侯明东,甄红楼,张庆祥,刘杰,马峰
刊名原子核物理评论
出版日期2000-09-30
卷号2000期号:03页码:165-170
关键词单粒子效应 辐射损伤 软错误 加速器模拟
通讯作者侯明东
语种中文
公开日期2010-10-29
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/5027]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
侯明东,甄红楼,张庆祥,刘杰,马峰. 重离子在半导体器件中引起的单粒子效应[J]. 原子核物理评论,2000,2000(03):165-170.
APA 侯明东,甄红楼,张庆祥,刘杰,马峰.(2000).重离子在半导体器件中引起的单粒子效应.原子核物理评论,2000(03),165-170.
MLA 侯明东,甄红楼,张庆祥,刘杰,马峰."重离子在半导体器件中引起的单粒子效应".原子核物理评论 2000.03(2000):165-170.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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