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通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究

文献类型:期刊论文

作者王铁山,王志国,高东风
刊名核电子学与探测技术
出版日期2000-01-20
卷号2000期号:01页码:17-21
关键词金硅面垒探测器si(Au) 带电粒子鉴别 D-d反应 D-t反应
通讯作者王铁山
语种中文
公开日期2010-10-29
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/5217]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王铁山,王志国,高东风. 通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究[J]. 核电子学与探测技术,2000,2000(01):17-21.
APA 王铁山,王志国,高东风.(2000).通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究.核电子学与探测技术,2000(01),17-21.
MLA 王铁山,王志国,高东风."通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究".核电子学与探测技术 2000.01(2000):17-21.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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