通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究
文献类型:期刊论文
作者 | 王铁山,王志国,高东风 |
刊名 | 核电子学与探测技术
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出版日期 | 2000-01-20 |
卷号 | 2000期号:01页码:17-21 |
关键词 | 金硅面垒探测器si(Au) 带电粒子鉴别 D-d反应 D-t反应 |
通讯作者 | 王铁山 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-10-29 |
源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/5217] ![]() |
专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王铁山,王志国,高东风. 通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究[J]. 核电子学与探测技术,2000,2000(01):17-21. |
APA | 王铁山,王志国,高东风.(2000).通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究.核电子学与探测技术,2000(01),17-21. |
MLA | 王铁山,王志国,高东风."通过改变Si(Au)探测器灵敏区厚度鉴别带电粒子的方法及应用研究".核电子学与探测技术 2000.01(2000):17-21. |
入库方式: OAI收割
来源:近代物理研究所
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