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高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究

文献类型:期刊论文

作者Zhang, LQ (Zhang Li-Qing); Zhang, CH (Zhang Chong-Hong); Yang, YT (Yang Yi-Tao); Yao, CF (Yao Cun-Feng); Sun, YM (Sun You-Mei); Li, BS (Li Bing-Sheng); Zhao, ZM (Zhao Zhi-Ming); Song, SJ (Song Shu-Jian)
刊名物理学报
出版日期2009
卷号58期号:8页码:5578-5584
ISSN号1000-3290
关键词高电荷态离子 Gan晶体 原子力显微镜 表面形貌
其他题名Surface morphology of GaN bombarded by highly charged Xe-126(q+) ions
通讯作者liqingzhang07@impcas.ac.cn
语种中文
资助机构国家自然科学基金(批准号:10575124)、中国科学院“西部之光”人才培养计划、中国科学院近代物理研究所所长基金资助的课题
公开日期2010-10-29
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/5353]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
近代物理研究所_材料研究中心
作者单位中国科学院近代物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
Zhang, LQ (Zhang Li-Qing),Zhang, CH (Zhang Chong-Hong),Yang, YT (Yang Yi-Tao),等. 高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究[J]. 物理学报,2009,58(8):5578-5584.
APA Zhang, LQ .,Zhang, CH .,Yang, YT .,Yao, CF .,Sun, YM .,...&Song, SJ .(2009).高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究.物理学报,58(8),5578-5584.
MLA Zhang, LQ ,et al."高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究".物理学报 58.8(2009):5578-5584.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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