高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究
文献类型:期刊论文
作者 | Zhang, LQ (Zhang Li-Qing)![]() ![]() ![]() |
刊名 | 物理学报
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出版日期 | 2009 |
卷号 | 58期号:8页码:5578-5584 |
关键词 | 高电荷态离子 Gan晶体 原子力显微镜 表面形貌 |
ISSN号 | 1000-3290 |
其他题名 | Surface morphology of GaN bombarded by highly charged Xe-126(q+) ions |
通讯作者 | liqingzhang07@impcas.ac.cn |
语种 | 中文 |
资助机构 | 国家自然科学基金(批准号:10575124)、中国科学院“西部之光”人才培养计划、中国科学院近代物理研究所所长基金资助的课题 |
公开日期 | 2010-10-29 |
源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/5353] ![]() |
专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前) 近代物理研究所_材料研究中心 |
作者单位 | 中国科学院近代物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, LQ (Zhang Li-Qing),Zhang, CH (Zhang Chong-Hong),Yang, YT (Yang Yi-Tao),等. 高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究[J]. 物理学报,2009,58(8):5578-5584. |
APA | Zhang, LQ .,Zhang, CH .,Yang, YT .,Yao, CF .,Sun, YM .,...&Song, SJ .(2009).高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究.物理学报,58(8),5578-5584. |
MLA | Zhang, LQ ,et al."高电荷态离子126Xeq+引起GaN表面形貌变化研究".物理学报 58.8(2009):5578-5584. |
入库方式: OAI收割
来源:近代物理研究所
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