高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | Peng, HB (Peng Hai-Bo) ; Wang, TS (Wang Tie-Shan) ; Han, YC (Han Yun-Cheng) ; Ding, DJ (Ding Da-Jie) ; Xu, H (Xu He) ; Cheng, R (Cheng Rui) ; Zhao, YT (Zhao Yong-Tao) ; Wang, YY (Wang Yu-Yu) |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2008 |
| 卷号 | 57期号:4页码:2161-2164 |
| 关键词 | Highly Charged Ions Sputtering Channeling Effect |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 其他题名 | Study of channeling effect by impact of highly charged ions on crystal surface of Si(110) |
| 语种 | 中文 |
| 资助机构 | 国家自然科学基金(批准号：10475035)资助的课题. |
| 公开日期 | 2010-10-29 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/5643]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Peng, HB (Peng Hai-Bo),Wang, TS (Wang Tie-Shan),Han, YC (Han Yun-Cheng),等. 高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究[J]. 物理学报,2008,57(4):2161-2164. |
| APA | Peng, HB .,Wang, TS .,Han, YC .,Ding, DJ .,Xu, H .,...&Wang, YY .(2008).高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究.物理学报,57(4),2161-2164. |
| MLA | Peng, HB ,et al."高电荷态离子与Si(110)晶面碰撞的沟道效应研究".物理学报 57.4(2008):2161-2164. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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