基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计；Design of A Charge Sensitive Preamplifier Based on DMOS FET
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高艳妮 ; 苏弘 ; WEMBE TAFO Evariste |
| 刊名 | 核电子学与探测技术；Nuclear Electronics & Detection Technology
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| 出版日期 | 2010-01-20 |
| 卷号 | 30期号:01页码:67-70 |
| 关键词 | Dmos 电荷灵敏前置放大器 设计 仿真 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:3857231 |
| 公开日期 | 2011-04-20 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/7683]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高艳妮,苏弘,WEMBE TAFO Evariste. 基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计；Design of A Charge Sensitive Preamplifier Based on DMOS FET[J]. 核电子学与探测技术；Nuclear Electronics & Detection Technology,2010,30(01):67-70. |
| APA | 高艳妮,苏弘,&WEMBE TAFO Evariste.(2010).基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计；Design of A Charge Sensitive Preamplifier Based on DMOS FET.核电子学与探测技术；Nuclear Electronics & Detection Technology,30(01),67-70. |
| MLA | 高艳妮,et al."基于DMOS管的电荷灵敏前置放大器设计；Design of A Charge Sensitive Preamplifier Based on DMOS FET".核电子学与探测技术；Nuclear Electronics & Detection Technology 30.01(2010):67-70. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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