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氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究;Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC

文献类型:期刊论文

作者张勇 ; 张崇宏 ; 周丽宏 ; 李炳生 ; 杨义涛
刊名物理学报
出版日期2010-06-15
卷号59期号:06页码:4130-4135
关键词Electron-spin-resonance Silicon-carbide Mechanical-properties Cavities Release
语种中文
CSCD记录号CSCD:3958784
公开日期2011-04-20
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/7699]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
张勇,张崇宏,周丽宏,等. 氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究;Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC[J]. 物理学报,2010,59(06):4130-4135.
APA 张勇,张崇宏,周丽宏,李炳生,&杨义涛.(2010).氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究;Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC.物理学报,59(06),4130-4135.
MLA 张勇,et al."氦离子注入4H-SiC晶体的纳米硬度研究;Study on nanohardness of helium-implanted 4H-SiC".物理学报 59.06(2010):4130-4135.

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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