反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响；Slow highly charged ions induced electron emission from clean Si surfaces
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王建国 ; 徐忠锋 ; 赵永涛 ; 王瑜玉 ; 李德慧 ; 赵迪 ; 肖国青 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2010-11-15 |
| 卷号 | 59期号:11页码:7803-7805 |
| 关键词 | 低速高电荷态离子 电子发射 反冲原子 阻止能损 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:4069960 |
| 公开日期 | 2011-04-20 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/7715]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王建国,徐忠锋,赵永涛,等. 反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响；Slow highly charged ions induced electron emission from clean Si surfaces[J]. 物理学报,2010,59(11):7803-7805. |
| APA | 王建国.,徐忠锋.,赵永涛.,王瑜玉.,李德慧.,...&肖国青.(2010).反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响；Slow highly charged ions induced electron emission from clean Si surfaces.物理学报,59(11),7803-7805. |
| MLA | 王建国,et al."反冲原子对低速离子轰击Si表面时电子发射产额的影响；Slow highly charged ions induced electron emission from clean Si surfaces".物理学报 59.11(2010):7803-7805. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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