94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究；Modification of Optical Bandgap of Thin Silicon Films Induced by 94 MeV Xe Ion Irradiation
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨成绍 ; 王志光 ; 孙建荣 ; 姚存峰 ; 臧航 ; 魏孔芳 ; 缑洁 ; 马艺准 ; 申铁龙 ; 盛彦斌 ; 朱亚斌 ; 庞立龙 ; 李炳生 ; 张洪华 ; 付云翀 |
| 刊名 | 原子核物理评论
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| 出版日期 | 2010-03-20 |
| 卷号 | 27期号:01页码:92-96 |
| 关键词 | 硅 薄膜 重离子辐照 光学带隙 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-04-20 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/8045]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨成绍,王志光,孙建荣,等. 94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究；Modification of Optical Bandgap of Thin Silicon Films Induced by 94 MeV Xe Ion Irradiation[J]. 原子核物理评论,2010,27(01):92-96. |
| APA | 杨成绍.,王志光.,孙建荣.,姚存峰.,臧航.,...&付云翀.(2010).94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究；Modification of Optical Bandgap of Thin Silicon Films Induced by 94 MeV Xe Ion Irradiation.原子核物理评论,27(01),92-96. |
| MLA | 杨成绍,et al."94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究；Modification of Optical Bandgap of Thin Silicon Films Induced by 94 MeV Xe Ion Irradiation".原子核物理评论 27.01(2010):92-96. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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