硅中纳米空腔的形成及其在合成 SOI 材料中的应用
文献类型：学位论文
| 作者 | 李炳生 |
| 答辩日期 | 2010-05-08 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 张崇宏 |
| 关键词 | 离子注入 纳米空腔 注氧隔离技术 Soi 离子辐照 |
| 学位名称 | 博士 |
| 学位专业 | 粒子物理与原子核物理 |
| 其他题名 | Formation of Nanocavities in Si and Application: Fabrication SOI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-06-29 |
| 页码 | 112 |
| 分类号 | 0572.2 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/8309]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李炳生. 硅中纳米空腔的形成及其在合成 SOI 材料中的应用[D]. 中国科学院研究生院. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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