宽禁带半导体中载能离子引入缺陷的光谱研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 韩录会 |
| 答辩日期 | 2010-05-08 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 张崇宏 |
| 关键词 | 氮化镓 碳化硅 高电荷态重离子 x 射线光电子能谱 原子力显微镜 傅里叶变换红外光谱 拉曼光谱 |
| 学位名称 | 硕士 |
| 学位专业 | 粒子物理与原子核物理 |
| 其他题名 | Spectrum study of defects induced by stored energy ions in wide band gap semiconductor materials |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-06-29 |
| 页码 | 49 |
| 分类号 | 0572.2 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/8339]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩录会. 宽禁带半导体中载能离子引入缺陷的光谱研究[D]. 中国科学院研究生院. 2010. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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