高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘昌龙 ; 侯明东 ; 程松 ; 朱智勇 ; 王志光 ; 孙友梅 ; 王引书 ; 金运范 ; 李长林 ; 孟庆华 |
| 刊名 | 核技术
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| 出版日期 | 1998-08-10 |
| 期号 | 08 |
| 关键词 | Ar离子辐照 Si 非晶化 双空位 |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:440757 |
| 资助机构 | 国家自然科学基金，甘肃省自然科学基金，中国科学院“九五”重点资助 |
| 公开日期 | 2011-09-23 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/11275]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘昌龙,侯明东,程松,等. 高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究[J]. 核技术,1998(08). |
| APA | 刘昌龙.,侯明东.,程松.,朱智勇.,王志光.,...&孟庆华.(1998).高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究.核技术(08). |
| MLA | 刘昌龙,et al."高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究".核技术 .08(1998). |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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