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170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额

文献类型:期刊论文

作者马新文 ; 申自勇 ; 刘惠萍 ; 杨治虎 ; 王友德 ; 陈熙萌 ; 吕魁 ; 刘兆远
刊名核技术
出版日期1999-12-10
期号12
关键词离子原子碰撞 多重电离 反冲离子产额
英文摘要The yields of ionized argon atoms induced by 170MeV S~9+ ion impacts werestudied by using time-of-flight technique. The experimental yields of recoil Ar ionswere compared with the theoretical results of n-body classical trajectory MonteCarlo(nCTMC) method it was found that the nCTMC underestimated the yields ofhigher charge states of recoil ions.
语种中文
CSCD记录号CSCD:631311
资助机构国家自然科学基金!19704012;;中国科学院“九五”基础研究重点资助!KJ952—S1—455
公开日期2011-09-23
源URL[http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/11309]  
专题近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前)
推荐引用方式
GB/T 7714
马新文,申自勇,刘惠萍,等. 170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额[J]. 核技术,1999(12).
APA 马新文.,申自勇.,刘惠萍.,杨治虎.,王友德.,...&刘兆远.(1999).170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额.核技术(12).
MLA 马新文,et al."170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额".核技术 .12(1999).

入库方式: OAI收割

来源:近代物理研究所

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