170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额
文献类型:期刊论文
作者 | 马新文 ; 申自勇 ; 刘惠萍 ; 杨治虎 ; 王友德 ; 陈熙萌 ; 吕魁 ; 刘兆远 |
刊名 | 核技术
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出版日期 | 1999-12-10 |
期号 | 12 |
关键词 | 离子原子碰撞 多重电离 反冲离子产额 |
英文摘要 | The yields of ionized argon atoms induced by 170MeV S~9+ ion impacts werestudied by using time-of-flight technique. The experimental yields of recoil Ar ionswere compared with the theoretical results of n-body classical trajectory MonteCarlo(nCTMC) method it was found that the nCTMC underestimated the yields ofhigher charge states of recoil ions. |
语种 | 中文 |
CSCD记录号 | CSCD:631311 |
资助机构 | 国家自然科学基金!19704012;;中国科学院“九五”基础研究重点资助!KJ952—S1—455 |
公开日期 | 2011-09-23 |
源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/11309] ![]() |
专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储(2010之前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 马新文,申自勇,刘惠萍,等. 170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额[J]. 核技术,1999(12). |
APA | 马新文.,申自勇.,刘惠萍.,杨治虎.,王友德.,...&刘兆远.(1999).170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额.核技术(12). |
MLA | 马新文,et al."170MeV硫离子入射引起的反冲氩离子产额".核技术 .12(1999). |
入库方式: OAI收割
来源:近代物理研究所
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