高离化态Si的束箔光谱的理论分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 符彦飙 ; 董晨钟 ; 袁萍 ; 陈冠英 ; 张树东 ; 王友德 ; 杨治虎 |
| 刊名 | 西北师范大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 1999-07-05 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 波长 振子强度 能级寿命 束箔光谱 |
| 英文摘要 | Wavelength,oscillator strengths,transition probabilities and level lifetimes are calculated for foil excited highly ionized Si with multiconfiguration HXR method.The spectrum of Si ions in several beam energies are analysed.Comparisons with existing experimental results are given. |
| 语种 | 中文 |
| 资助机构 | 国家自然科学基金 |
| 公开日期 | 2011-09-23 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/11653]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 符彦飙,董晨钟,袁萍,等. 高离化态Si的束箔光谱的理论分析[J]. 西北师范大学学报(自然科学版),1999(03). |
| APA | 符彦飙.,董晨钟.,袁萍.,陈冠英.,张树东.,...&杨治虎.(1999).高离化态Si的束箔光谱的理论分析.西北师范大学学报(自然科学版)(03). |
| MLA | 符彦飙,et al."高离化态Si的束箔光谱的理论分析".西北师范大学学报(自然科学版) .03(1999). |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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