同位素Ni靶膜制备工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 尹建华 |
| 刊名 | 原子能科学技术
 |
| 出版日期 | 1996-01-20 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | 电沉积 电镀槽 膜结构 |
| 英文摘要 | The optimal preparing technology of isotope Ni target film by electrodepositing method is studied and described in the paper. By means of this technology, a high-grade self-supported film of isotope Ni with a largy area is obtained. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:330221 |
| 公开日期 | 2011-09-23 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/11805]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹建华. 同位素Ni靶膜制备工艺研究[J]. 原子能科学技术,1996(01). |
| APA | 尹建华.(1996).同位素Ni靶膜制备工艺研究.原子能科学技术(01). |
| MLA | 尹建华."同位素Ni靶膜制备工艺研究".原子能科学技术 .01(1996). |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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