利用重离子束开展半导体器件单粒子效应的探讨
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘杰 ; 侯明东 ; 马峰 ; 程松 |
| 刊名 | 原子能科学技术
 |
| 出版日期 | 1997-05-20 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 重离子 单粒子效应（see） 半导体器件 |
| 英文摘要 | In the paper several problems are discussed,which should be paid attention to in the study of SEE induced by heavy ion irradiation of semiconductor devices,i.e.heavy ion in the natural space environment,influences of semiconductor devices irradiated by particles and measurement of single event upset,relationship of SEE of devices induced by heavy ion and proton,respectively.Finally,heavy ion microscopy of single event upsets is simply introduced. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:404496 |
| 公开日期 | 2011-09-23 |
| 源URL | [http://ir.imp.cas.cn/handle/113462/11809]  |
| 专题 | 近代物理研究所_近代物理研究所知识存储（2010之前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘杰,侯明东,马峰,等. 利用重离子束开展半导体器件单粒子效应的探讨[J]. 原子能科学技术,1997(03). |
| APA | 刘杰,侯明东,马峰,&程松.(1997).利用重离子束开展半导体器件单粒子效应的探讨.原子能科学技术(03). |
| MLA | 刘杰,et al."利用重离子束开展半导体器件单粒子效应的探讨".原子能科学技术 .03(1997). |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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