一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法
文献类型：专利
| 作者 | 魏孔芳; 金运范; 姚存峰 ; 臧航; 申铁龙; 缑洁; 王瑜玉; 孙建荣; 王志光
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| 发表日期 | 2011-09-05 |
| 专利号 | ZL200910117708.4 |
| 国家 | 中国 |
| 关键词 | 高能 重离子 辐照 磁致电阻 |
| 文献子类 | 发明 |
| 公开日期 | 2010-06-16 |
| 申请日期 | 2009-12-04 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://210.77.73.110/handle/113462/12451]  |
| 专题 | 近代物理研究所_先进核能材料研究室（ADS） 近代物理研究所_能源材料研究组 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏孔芳,金运范,姚存峰,等. 一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法. ZL200910117708.4. 2011-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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