Effectiveness and failure modes of error correcting code in industrial 65nm CMOS SRAMs exposed heavy ions
文献类型：期刊论文
| 作者 | Tong T(童腾) |
| 刊名 | NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES
 |
| 出版日期 | 2014-02-20 |
| 卷号 | 25期号:25页码:0104051-0104056 |
| 公开日期 | 2014-12-17 |
| 源URL | [http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/12569]  |
| 专题 | 近代物理研究所_科学仪器中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Tong T. Effectiveness and failure modes of error correcting code in industrial 65nm CMOS SRAMs exposed heavy ions[J]. NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES,2014,25(25):0104051-0104056. |
| APA | Tong T.(2014).Effectiveness and failure modes of error correcting code in industrial 65nm CMOS SRAMs exposed heavy ions.NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES,25(25),0104051-0104056. |
| MLA | Tong T."Effectiveness and failure modes of error correcting code in industrial 65nm CMOS SRAMs exposed heavy ions".NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES 25.25(2014):0104051-0104056. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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