高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王书明3; 张崇宏2 ; 付雪涛2; 马通达2; 王新强1; 张丽卿1
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| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 36页码:450-454 |
| 源URL | [http://ir.impcas.ac.cn/handle/113462/18018]  |
| 专题 | 近代物理研究所_能源材料研究组 近代物理研究所_材料研究中心 |
| 作者单位 | 1.中国科学院近代物理研究所 2.北京有色金属研究总院国家有色金属及电子材料分析测试中心 3.北京大学物理学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王书明,张崇宏,付雪涛,等. 高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究[J]. 稀有金属,2012,36:450-454. |
| APA | 王书明,张崇宏,付雪涛,马通达,王新强,&张丽卿.(2012).高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究.稀有金属,36,450-454. |
| MLA | 王书明,et al."高能电子辐照诱导GaN异质结应变弛豫机制的研究".稀有金属 36(2012):450-454. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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