重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘天奇; 习凯; 侯明东; 叶兵; 姬庆刚; 殷亚楠; 孙友梅 ; 刘杰; 王斌; 李宗臻
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| 刊名 | 原子核物理评论
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| 出版日期 | 2018-03-20 |
| 卷号 | 35页码:66-71 |
| 英文摘要 | 为了提高纠错编码(ECC)的有效性,先进的静态随机存储器(SRAM)多采用位交错结构。但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转(MCU)变得更加困难。运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性。为"伪多位翻转(FMBU)"以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则。除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想。在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转。 |
| 源URL | [http://119.78.100.186/handle/113462/59823]  |
| 专题 | 近代物理研究所_材料研究中心 |
| 作者单位 | (1)中国科学院近代物理研究所;(2)中国科学院大学;(3)中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘天奇,习凯,侯明东,等. 重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究[J]. 原子核物理评论,2018,35:66-71. |
| APA | 刘天奇.,习凯.,侯明东.,叶兵.,姬庆刚.,...&赵培雄.(2018).重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究.原子核物理评论,35,66-71. |
| MLA | 刘天奇,et al."重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究".原子核物理评论 35(2018):66-71. |
入库方式： OAI收割
来源：近代物理研究所
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