纳米级工艺对物理设计的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵继业; 杨旭 |
| 刊名 | 信息技术快报
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| 出版日期 | 2008-03-16 |
| 卷号 | 6期号:2页码:25 |
| 关键词 | 纳米级工艺 超大规模集成电路 芯片在片波动 物理设计 |
| 英文摘要 | 随着微电子技术的进步，超大规模集成电路（VLSI）的特征尺寸已经步入纳米范围。纳米级工艺存在着很多不同于以往微米、亚微米工艺的特点，因此为制造和设计都带来了很多难题，诸如光刻、漏电功耗、可制造性设计、芯片在片参数波动等，为了保证设计的进度和质量，就必须针对这些特点进行深入分析，并建立全新的分析设计方法和手段。 |
| 学科主题 | 计算机系统结构 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-12-18 |
| 源URL | [http://ictir.ict.ac.cn/handle/311040/48]  |
| 专题 | 信息技术快报_2008 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵继业,杨旭. 纳米级工艺对物理设计的影响[J]. 信息技术快报,2008,6(2):25. |
| APA | 赵继业,&杨旭.(2008).纳米级工艺对物理设计的影响.信息技术快报,6(2),25. |
| MLA | 赵继业,et al."纳米级工艺对物理设计的影响".信息技术快报 6.2(2008):25. |
入库方式： OAI收割
来源：计算技术研究所
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