基于AlGaN／GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(中)
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 李宾; 陈延湖; 陈小娟; 魏珂; 李诚瞻; 罗卫军; 王晓亮; 刘丹; 刘果果
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2007 |
| 卷号 | 28期号:4页码:4,514_517 |
| 关键词 | Algan／gan Hemt 功率合成器 混合集成电路 微波功率放大器 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 研制了一种基于AlGaN／GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路．该电路包含4个10×120μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器．在偏置条件为VDS=40V，IDS=0．9A时，输出连续波饱和功率在5．4GHz达到41．4dBm，最大的PAE为32．54％，并且功率合成效率达到69％． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-26 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/1708]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） 中国科学院微电子研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,李宾,陈延湖,等. 基于AlGaN／GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(中)[J]. 半导体学报,2007,28(4):4,514_517. |
| APA | 刘新宇.,李宾.,陈延湖.,陈小娟.,魏珂.,...&姚小江.(2007).基于AlGaN／GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(中).半导体学报,28(4),4,514_517. |
| MLA | 刘新宇,et al."基于AlGaN／GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计(中)".半导体学报 28.4(2007):4,514_517. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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