电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈维德; 李秀琼 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:7页码:4，518-521 |
| 关键词 | 电子束辐照 磷化铟 硫钝化 表面处理 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍，利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫化的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/544]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈维德,李秀琼. 电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用[J]. 半导体学报,1996,17(7):4，518-521. |
| APA | 陈维德,&李秀琼.(1996).电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用.半导体学报,17(7),4，518-521. |
| MLA | 陈维德,et al."电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用".半导体学报 17.7(1996):4，518-521. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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