适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐秋霞; 海潮和 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 18期号:3页码:5，218-222 |
| 关键词 | 多层布线技术 Vlsi Cmos |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 多层金属布线互连技术是ＶＬＳＩ工艺中最重要的关键的技术这一。本文系统地研究了用于０．８μｍＣＭＯＳ ＶＬＳＩ的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化，接触孔和通孔的低阻欧姆接触可靠的金属互连等关键工艺进行了分析讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/550]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,海潮和. 适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究[J]. 半导体学报,1997,18(3):5，218-222. |
| APA | 徐秋霞,&海潮和.(1997).适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究.半导体学报,18(3),5，218-222. |
| MLA | 徐秋霞,et al."适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究".半导体学报 18.3(1997):5，218-222. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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