用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT
文献类型：期刊论文
| 作者 | 钱鹤; 刘训春 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 6页码:4，47-50 |
| 关键词 | Hemt器件 移相光刻 准分子激光 深亚微米栅 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高Ｘ值的ＩｎｘｇＡ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面，提出将ＫｒＦ准分子激光无铬移相光刻应用于栅图形加工，设计，组装了一套实验系统，可重复可靠地得到剖面陡直的０．３－０．３５μｍ胶阴线条，这一工艺技术完全与现有器件工艺 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/554]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 钱鹤,刘训春. 用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT[J]. 半导体技术,1997(6):4，47-50. |
| APA | 钱鹤,&刘训春.(1997).用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT.半导体技术(6),4，47-50. |
| MLA | 钱鹤,et al."用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT".半导体技术 .6(1997):4，47-50. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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