自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐秋霞; 柴淑敏 |
| 刊名 | 真空科学与技术
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 17期号:4页码:6，287-292 |
| 关键词 | 真空微电子器件 二极管 尖锥阴极 微电子器件 |
| ISSN号 | 0253-9748 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在Ｕ≤５Ｖ条件下，对Ｍｏ锥和Ｔｉ锥分别获得３．７μＡ每尖锥和９．５μＡ每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流－电压特性间的关系，影响场发射特性的各种 因素进行了分析讨论。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/562]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,柴淑敏. 自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究[J]. 真空科学与技术,1997,17(4):6，287-292. |
| APA | 徐秋霞,&柴淑敏.(1997).自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究.真空科学与技术,17(4),6，287-292. |
| MLA | 徐秋霞,et al."自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究".真空科学与技术 17.4(1997):6，287-292. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。