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KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用

文献类型:期刊论文

作者钱鹤; 刘训春
刊名固体电子学研究与进展
出版日期1998
卷号18期号:1页码:7,94-100
关键词移相光刻 深亚微米 Hemt 半导体制造工艺
ISSN号1000-3819
产权排序1
英文摘要将KrF准分子激光无铬接触式称相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工,自行设计,组装了一套实验系统,很地解决了这一器件制作的关键工艺问题,分别采用石英版移相和衬底移相方式,可重复可靠地得到剖面陡直的(0.30-0.35)μm和(0.2-0.25)μm胶阴线条,这一工艺技术完全与有现有器件工艺技术兼容,为HEMT深亚微米加工提供了一个新的可供选择的方法,文中还从计算机模拟角度对上述两种移相光刻方式作
公开日期2010-05-25
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/568]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
推荐引用方式
GB/T 7714
钱鹤,刘训春. KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用[J]. 固体电子学研究与进展,1998,18(1):7,94-100.
APA 钱鹤,&刘训春.(1998).KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用.固体电子学研究与进展,18(1),7,94-100.
MLA 钱鹤,et al."KrF准分子激光移相光刻在HEMT栅加工中的应用".固体电子学研究与进展 18.1(1998):7,94-100.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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