PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘明 ; 彭英才
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| 刊名 | 河北大学学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 19期号:3页码:5,233-237 |
| 关键词 | 显微结构 电导率 氢化 纳米硅 薄膜 Pecvd |
| ISSN号 | 1000-1565 |
| 产权排序 | 2 |
| 英文摘要 | 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，以高Ｈ２稀释的ＳｉＨ４作为反应气体源，以ＰＨ３作为Ｐ原子的掺杂剂，在Ｐ型（１００）单昌硅（ｃ－ｓｉ）衬底下，成功地生长了掺Ｐ的纳米硅蓦地膜层结构的Ｒａｍａｎ谱分析和高分辨率电子显微镜观测指出：与本征ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜相比，ｎｃ－Ｓｉ（Ｐ）：Ｈ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/572]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,彭英才. PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究[J]. 河北大学学报,1999,19(3):5,233-237. |
| APA | 刘明,&彭英才.(1999).PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究.河北大学学报,19(3),5,233-237. |
| MLA | 刘明,et al."PECVD生长nc—Si：H膜的掺杂特性研究".河北大学学报 19.3(1999):5,233-237. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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