193nm光学掩模与x射线掩模技术比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谢常青 ; 叶甜春
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| 刊名 | 半导体情报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 36期号:2页码:4,39_42 |
| 关键词 | 光学掩模 X射线掩模 电子束光刻 Ic |
| ISSN号 | 1001-5507 |
| 产权排序 | 1 |
| 英文摘要 | 目前看来，１９３ｎｍ与ｘ射线光刻技术都很希望应用到０．１３μｍ ０．１３μｍ以下的集成电路工业中去，而掩膜笃这两种光刻技术而言是非常重要的．本文对１９３ｎｍ光学掩模与ｘ射线掩模制造技术进行了对比分析。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/578]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢常青,叶甜春. 193nm光学掩模与x射线掩模技术比较[J]. 半导体情报,1999,36(2):4,39_42. |
| APA | 谢常青,&叶甜春.(1999).193nm光学掩模与x射线掩模技术比较.半导体情报,36(2),4,39_42. |
| MLA | 谢常青,et al."193nm光学掩模与x射线掩模技术比较".半导体情报 36.2(1999):4,39_42. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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