45ps的超高速全耗尽CMOS／SOI环振
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘新宇 ; 孙海峰
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:8页码:3，830-832 |
| 关键词 | Cmos／soi器件 环振 集成电路 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 英文摘要 | 亚微米全耗尽ＳＯＩ（ＦＤＳＯＩ）ＣＭＯＳ器件和电路经过工艺投片，取得良好的结果，其中工作电压为５Ｖ时，０．８μｍ全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ １０１级环振的单级延迟仅为４５ｐｓ；随着硅层厚度的减薄和沟道长度的缩小，电路速度得以提高，０．８μｍ全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振比０．８μｍ，部分耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振快３０％，比１μｍ全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振速度提高１５％。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/600]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘新宇,孙海峰. 45ps的超高速全耗尽CMOS／SOI环振[J]. 半导体学报,2000,21(8):3，830-832. |
| APA | 刘新宇,&孙海峰.(2000).45ps的超高速全耗尽CMOS／SOI环振.半导体学报,21(8),3，830-832. |
| MLA | 刘新宇,et al."45ps的超高速全耗尽CMOS／SOI环振".半导体学报 21.8(2000):3，830-832. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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