电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘明 ; 陈宝钦
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:4页码:4，416-419 |
| 关键词 | I－线光致抗蚀剂 电子束 接触式曝光机 混合曝光 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | Ｉ－线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光，在５０ＫＶ加速电压下，其曝光剂量为５０－１００μＣ／ｃｍ＾２，曝光后在０．７％ＮａＯＨ溶液内显影１ｍｉｎ。其灵敏度比ＰＭＭＡ快５倍，分辨率为０．５μｍ。采用两种方法制备了ＧａＡｓＰＨＥＭＴ，首先，用Ｉ线光致抗蚀剂，源、漏及栅的全部都采用电子束曝光，制备了０．５μｍ栅长的ＧａＡｓＰＨＥＭＴ。将源、漏及栅分割成两部分，其中的精细部分由电子束曝光，其余 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/602]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,陈宝钦. 电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(4):4，416-419. |
| APA | 刘明,&陈宝钦.(2000).电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光.功能材料与器件学报,6(4),4，416-419. |
| MLA | 刘明,et al."电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光".功能材料与器件学报 6.4(2000):4，416-419. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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