RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 海潮和; 靳伟 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:3页码:4，150-153 |
| 关键词 | Rf Lna电路 Svi器件 低噪声放大器 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手，以０．６μｍ ＮＭＯＳ工艺为基础，设计并研制了在芯片内部具有高Ｑ值折平面电感的ＳＯＩ低噪声放大器电路。电路在１．５Ｖ电压下，中心频率１．８ＢＧＨｚ时峰值增益为２４ｄＢ，浮体ＳＯＩ器件结构的ＬＮＡ电路比体接触结构的ＬＮＡ电路有更高的增益和较低的噪声。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/604]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 海潮和,靳伟. RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(3):4，150-153. |
| APA | 海潮和,&靳伟.(2000).RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究.功能材料与器件学报,6(3),4，150-153. |
| MLA | 海潮和,et al."RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究".功能材料与器件学报 6.3(2000):4，150-153. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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