0.1—0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 叶甜春 ; 张绵
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| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 6期号:3页码:4，182-185 |
| 关键词 | X射线光刻 Phemt T型栅 Gaas器件制作 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 英文摘要 | 对同步辐射Ｘ射线光刻及在ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长０．１５μｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＰＨＥＭＴ晶体管。研究结果表明，Ｘ射线光刻在肃离图形册结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止ＧａＡｓ合金点的形成是取得良好的对准标记的关键。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-05-25 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/608]  |
| 专题 | 微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年） |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶甜春,张绵. 0.1—0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用[J]. 功能材料与器件学报,2000,6(3):4，182-185. |
| APA | 叶甜春,&张绵.(2000).0.1—0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用.功能材料与器件学报,6(3),4，182-185. |
| MLA | 叶甜春,et al."0.1—0.3μmX射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用".功能材料与器件学报 6.3(2000):4，182-185. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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