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深亚微米同步辐射x射线光刻技术

文献类型:期刊论文

作者叶甜春; 谢常青
刊名半导体情报
出版日期2000
卷号37期号:6页码:4,35-37,42
关键词X射线光刻 同步辐射 深亚微米
ISSN号1001-5507
英文摘要

报道了我们制作深亚微米x射线掩模的工艺和同步辐射x射线曝光工艺,并报道了我们在北京同步辐射装置(BSRF)3B1A光刻束线所获得的深亚微米x射线光刻图形的实验结果。

语种中文
公开日期2010-05-25
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/614]  
专题微电子研究所_回溯数据库(1992-2008年)
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
叶甜春,谢常青. 深亚微米同步辐射x射线光刻技术[J]. 半导体情报,2000,37(6):4,35-37,42.
APA 叶甜春,&谢常青.(2000).深亚微米同步辐射x射线光刻技术.半导体情报,37(6),4,35-37,42.
MLA 叶甜春,et al."深亚微米同步辐射x射线光刻技术".半导体情报 37.6(2000):4,35-37,42.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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