光学光刻的生命力仍然在不断延续，即使在０．１３μｍ及０．１３μｍ以下集成电路制造水平上，光学光刻仍然是一个非常重要的修选者，深亚微米不迩光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻光学邻近效应较正，远紫外光刻胶、套郑刻对准误差等进行了论述。